主题：【原创】石墨烯笔记之从无到有石墨烯 -- jwangsci
我记得，曾有人分析过石蜡在普通空气中燃烧，会产生微小的钻石。似乎石蜡燃烧中会产生不同形态的纯碳，包括石墨和钻石。如果条件合适，温度，氧气，催化剂，可能也会有其他形态的碳。
不过这样搞可能也长不大，最好前景也就是做成塑料加强剂。
您提到的思路，其实有人用塑料做过，将塑料、模板和催化剂混合后高温热解，生成多层的石墨烯。
塑料增强剂的话，直接化学法制备就行了。
中国最早从事石墨烯批量制备研究的科学家是
卖炭翁！
我们的石墨烯研究整整比西方国家早了一千多年。
2月28日，《自然—通讯》杂志在线发表了中科院金属所沈阳材料科学国家（联合）实验室成会明、任文才团队在石墨烯制备方面取得的一项新突破，他们通过金属外延生长方法，制备出了具有非常优异场发射效应的毫米级单晶石墨烯及其薄膜。
石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。
目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。
对于以金属基体生长的石墨烯，通常以腐蚀金属基体的方法来进行转移，不仅存在金属残存、转移过程破坏石墨烯结构的问题，而且污染环境、成本高、不适合贵金属基体。
成会明等采用贵金属铂生长基体，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法，成功制备出了毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。通过该研究组发明的电化学气体插层鼓泡法，可将铂上生长的石墨烯薄膜无损转移到任意基体上。
该方法操作简便、速度快、无污染，并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上生长的石墨烯的转移，金属基体可重复使用，可作为一种低成本、快速转移高质量石墨烯的普适方法。
该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量，将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管，测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100 cm2 V-1 s-1。
金属基体上大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的多次重复生长，为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。