主题：【原创】石墨烯笔记之从无到有石墨烯 -- jwangsci

问题：石墨烯比表面积极大，如果要通过CVD法制备单层或寡层石墨烯，所需衬底就不是个小数目了；

回复：你说的衬底应该指的是做催化剂的金属层吧，目前主要为镍和铜，现在来讲对其表面晶面取向要求还没那么苛刻，因此成本不算高。

问题：CVD设备的成本、效率也是个问题。

回复：CVD设备成本不高，实验室做研究一套大约15-20万人民币，包括进口管式炉，部分进口真空系统，压缩气体等，不过这个估计很粗糙，可能要不了这么多钱，等我搭好告诉你，呵呵。

CVD石墨烯真正生长时间就几分钟，面积可以达到平方分米量级，不过均匀性目前无法完全保证。

无论时间还是原料成本确实不高。

问题：符合“成本低、适合批量生产、价格实惠、量又足”的特点的，目前还是只有氧化还原法吧。

回复：石墨烯以后最大的用处应当在制造大规模集成电路上（这可是我国国家重大战略需求啊），CVD制备的大面积，低缺陷（希望是）石墨烯膜应当是首选。其实热解碳化硅也是一个备选方案，因为衬底（也就是碳化硅）本身是导电的。但是高品质碳化硅国产的还不行，要进口，其本身就很昂贵，且此法制备的石墨烯层无法转移到别的衬底上进行其他加工和处理。

我知识有限，但是氧化还原法似乎还不能制备如CVD或者热解得到的大面积，低缺陷石墨烯膜，但是成本确实低，用于合成石墨烯功能化材料非常合适，如用于给药、细胞标记等方面都很有潜力。

希望这些能有帮助。