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新科技动向 – Nand Flash memory

东芝和东芝情报系统，共同发表论文。使用多层存储器形成技术，他们开发成功了非常高集成度的Nand Flash memory. 东芝以前利用Nand string技术，开发出了高集成度的Flash memory, 这次，他们在Nand string里加入了U字型管道结构，可以一个cell里存储多个值。他们用60nm的制造技术试作了层数16的32Gbit的测试芯片。在这个芯片上，memory cell的每位面积为0.00082平方微米，这是非常小的。在一个10mmx10mm的面积里，可以摆放120Gbit的memory cell. 这个结果将会得这次VLSI Technology学会的最高论文奖。

另外，台湾的Macronix International Co., Ltd.也发表了一篇论文。他们使用嵌入式扩散通道FinFET, 开发了Nand Flash Memory. 采用FinFET技术，存储窗的最适化和多次擦写耐久性可以得到改善。

综合上面两个技术，可以制造出非常便宜和耐用的SSD.

• 挥发性存储器

俺还期待电池方面的突破！

看了好多不同立场做出来的评测，至今也不太清楚ssd比温彻斯特硬盘性能到底提高了多少，能详细说说吗？谢谢。

从下面4个方面。

1.速度

2.容量

3.寿命

4.价格

不管怎么样，SSD取代HDD是历史趋势，不会逆转。但是目前阶段，买SSD好还是HDD好。你自己看看吧。

我想，大概过不了3年，SSD就要对HDD大包围了。

毕竟SSD和普通硬盘不一样，不是密度越大越好。 现在看来SSD和HDD的combine还是最好。 奇怪怎么没人搞个标准U盘出来，就跟个软盘一样一片，有专门的设备插进去。 相当于大容量SD卡，上来就是16GB

我常泡小黑爱好者论坛，有人买了很贵的 SSD 配给自己的 TP，

大部分当然也都问题不大啦，但有人声称自己的 SSD 用了几个月

之后出现了某些区块性能下降、整块 SSD 死掉等故障。

个人感觉现在 SSD 还不成熟，虽然有很多的性能强项，确实取代 HDD 是

早晚的事情，但现在还不是时候。连 INTEL 这种大厂，引以为

自豪的技术也是某些智能技术，让 SSD 不要反复读写某一块专区。

这本身就反映了目前的 SSD 的读写寿命远不如 HDD ，需要用这种技术

来扬长避短。

硬盘的可靠性还是最重要的。所以 SSD 目前可以静候佳音，等完善之后再享用不迟。

怎么样? 关键是担心读写次数的问题。现在的芯片做得越来越好，另外，软件的算法也越来越好，很快，这些问题都会解决掉。但是，我认为也没有那么快，所以，我说3年后，会形成大包围。

很快，这点性能下降，就可以被忽略了。

综合下来，得不偿失，并不实用，是这样的么？

日本人还是能鼓捣出来一点真正有技术含量的东西的。

问题是国际会议中，日本人发言，多半不用听。倒不是歧视他们英文不好，（老中的英文也未必很好），而是说到紧要关头，大家的胃口被吊得正高呢，日本人不往下讲了，说是有关公司confidential，不宜多讲。

你说多可气啊，国际会议就是交流学术思想的地方，你要保密就别来。又想沽名钓誉，又想躲着掖着，哪来那么多好事呢。

也有些据说读写都不错。