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主题:北纬的瞎侃 -- 北纬42度

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家园 刚才看了看,光刻机方面差距还是很遥远啊

最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV,我国想买,但是美国正拦着不让卖。这东西基本上造是7nm以下芯片的必备品。没有的话中芯国际想要突破到7nm以下就很困难了。

中芯国际依靠现有设备造7nm的芯片还是可以的,据说台积电当初就是不用EUV造的7nm芯片。方法是靠多重曝光来刻线。同样的方法搞5nm也行,但是无疑成本会大幅增加。所以美国对我国芯片方面的封锁最终还是要靠打台湾来解决。

国产光刻机方面,上海微电子能造90nm的,在国内卖得很好。他们正在测试65/45nm级别的,估计几年后才能上市。这一系列光刻机靠的都是193nm的激光光源。EUV则是13.5nm极紫外光源, 所以距离还很遥远。二十年都不一定够。不过三四年后打下台湾,我们就控制了大部分芯片产能。荷兰人也会看到美国拿我们没办法。转变态度和我们交易也说不定。

另一个解决办法是中科院研制的新原理光刻机。这套光刻机的好处是用普通光源(不是激光)造出了22nm级别刻线的光刻机,换光源的话还能刻到10nm。EUV的极紫外激光光源几千万一套,还得真空环境使用。但是一个汞灯只要几万元。中科院用360+nm的光源实现了22nm的刻线,那170nm的光源(现实存在)就可以直接做到10nm的刻线。多重曝光的话没准就能实现1nm的芯片制造了。这意味着超低的成本。今后大概十年后会解决机械、控制方面的问题,届时10nm以上制程的芯片彻底白菜化。但是7nm以下就不知道了。报道没说这种光刻机能不能做到更高制程,也没说能不能靠多重曝光做7nm以下的芯片,也没说能不能换成更短波长的光源。如果能的话那就是神话一般的突破了。

此外,国产的EUV和极紫外激光光源(13.5nm)停留在原理研究的阶段。估计十年后出实验样机算是快的。商品化大概就真得20年后了。

通宝推:北纬42度,
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