主题：【讨论】没人来聊聊最近的小米么 -- Sheldon

因为eMMC4.5的总线速度是200MHz，总线宽度8位，最高速度是200MB/s, 这远超一般的Flash cell的读取速度。 用Cache解决的办法只能应付瞬间小片段，应付不了大容量顺序读写。

因此必然采取某些并行技术，假如以4GB或8GB或16GB为最小单位，对大容量数据分隔存储，进行2倍并行，4倍并行或8倍并行，这样才能规避Flash单元的读取速度上限。但分得越多，写的时候管理复杂，浪费的容量空间也就越多。所以这是一个权衡的过程。

一旦划分了并行读写单元模式，最大读取速度就和最大容量有了关系，一般而言，容量越大的，并行数越多，速度也就越快。

所以三星声称它的一款手机32GB eMMC5.0 速度比eMMC4.5快一倍，说明在这块手机里面只有32GB的并行划分单元较大， 容量16GB的，由于并行数减少，速度也会减少。

至于小米3，我不知道他们的并行数，但小米声称他们的最高读取速度是120MB/s，已经接近了eMMC4.5 200MB的速度上限，我怀疑他们的并行数优化就是针对16GB的，而64GB没有任何改善。当然，后继的其他型号如何优化，则要看他们的具体参数。

修改的分割线：

http://item.jd.com/809240.html

这款SSD硬盘的读取速度是540MB/s, 更恐怖的是写速度是520MB/s，毫无疑问，他们用了类似的技术，就是并行读写技术。