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主题：【原创】论山寨手机与Android联姻的技术基础 -- 邓侃
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现在应该不会有人做分立器件的射频前端了吧，但是使用GaAs工艺的集成前端应该不会消失，只要CMOS工艺的RFIC没有太大的改进，射频芯片就一定会用GaAs,那将还会以一个独立的FEM出现。
小弟还指望以后靠射频电路吃饭呢，还希望二月兄多指教。
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🙂都看过了，你看看他们的框图就知道了 2 似曾相识 字195 2010-03-11 07:11:24
🙂就是把RF和baseband做到一个DIE上吧 1 SkyWalkerJ 字45 2010-03-30 18:00:55
🙂但这个和什么rf数字化是两回事 2 似曾相识 字0 2010-04-04 12:54:41
🙂老兄说的moto用的是分立器件FEM吧
🙂按照现行CMOS工艺，45nm覆盖6GHz没有问题 1 陈王奋起 字50 2010-03-09 19:01:50
🙂CMOS可以工作到射频，但是功率还是做不大 1 领班军机 字148 2010-03-09 19:27:42
🙂CMOS PA的效率是个大问题 2 似曾相识 字118 2010-03-09 20:11:08
🙂军机兄所言极是。现在所谓的单芯片方案PA是外置的 2 陈王奋起 字191 2010-03-09 19:32:24